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垂直腔面发射激光器的光收发一体模块 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  申荣铉;  毛陆虹;  吴荣汉;  杜云;  唐君;  梁琨
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大规模光电集成RCE探测器面阵器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  裴为华;  毛陆虹;  吴荣汉;  杜云;  唐君;  邓晖;  梁琨
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基于激子效应的多量子阱光调制器/探测器列阵 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  吴荣汉;  杜云;  毛陆虹;  唐君;  裴为华;  梁琨
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一种减小霍尔器件失调电压的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郑一阳;  韩海;  景士平;  梁平
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一种提高霍尔器件抗静电击穿能力的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郑一阳;  韩海;  景士平;  梁平
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高线性度砷化镓霍尔器件的制备工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郑一阳;  韩海;  景士平;  梁平
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利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242346.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  施辉伟;  陈诺夫;  黄添懋;  尹志岗;  吴金良;  张汉
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在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241692.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  黄添懋;  陈诺夫;  施辉伟;  尹志岗;  吴金良;  王彦硕;  汪宇;  张汉
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采用宽脉冲激光器光源扫描辐照制作黑硅材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910078864.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  梁松;  朱洪亮;  林学春;  韩培德;  王宝华
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一种制作黑硅材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910078865.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  朱洪亮;  梁松;  韩培德;  林学春;  王宝华
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