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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li YH
;
Walsh A
;
Chen SY
;
Yin WJ
;
Yang JH
;
Li JB
;
Da Silva JLF
;
Gong XG
;
Wei SH
;
Li YH Fudan Univ Dept Phys Shanghai 200433 Peoples R China. E-mail Address: a.walsh@ucl.ac.uk
;
swei@nrel.gov
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提交时间:2010/03/08
提高GaN基pin结构性能的紫外探测器及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵德刚
;
杨辉
;
梁骏吾
;
李向阳
;
龚海梅
Adobe PDF(577Kb)
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浏览/下载:1114/183
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提交时间:2009/06/11
提高GaN基肖特基结构性能的紫外探测器及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵德刚
;
杨辉
;
梁骏吾
;
李向阳
;
龚海梅
Adobe PDF(560Kb)
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浏览/下载:1192/179
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
陈亮
;
亢勇
;
赵德刚
;
李向阳
;
龚海梅
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浏览/下载:1026/344
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提交时间:2010/11/23
背照射氮化镓基肖特基结构紫外探测器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵德刚
;
杨辉
;
梁骏吾
;
李向阳
;
龚海梅
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浏览/下载:1087/155
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提交时间:2009/06/11
提高铝镓氮材料质量的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵德刚
;
杨辉
;
梁骏吾
;
李向阳
;
龚海梅
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浏览/下载:1159/177
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao DG
;
Jiang DS
;
Zhu JJ
;
Liu ZS
;
Zhang SM
;
Liang JW
;
Yang H
;
Li X
;
Li XY
;
Gong HM
;
Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1231/342
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提交时间:2010/03/29
紫外激光写入制备高折射率差二氧化硅波导的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
夏君磊
;
吴远大
;
安俊明
;
郜定山
;
李健
;
龚春娟
;
胡雄伟
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浏览/下载:1302/146
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao, DG (Zhao, D. G.)
;
Liu, ZS (Liu, Z. S.)
;
Zhu, JJ (Zhu, J. J.)
;
Zhang, SM (Zhang, S. M.)
;
Jiang, DS (Jiang, D. S.)
;
Yang, H (Yang, Hui)
;
Liang, JW (Liang, J. W.)
;
Li, XY (Li, X. Y.)
;
Gong, HM (Gong, H. M.)
;
Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1202/412
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang XL (Wang X. L.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Li XY (Li X. Y.)
;
Gong HM (Gong H. M.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Liang JW (Liang J. W.)
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: WXL@mail.semi.ac.cn
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浏览/下载:1102/336
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提交时间:2010/04/11