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倒锥波导耦合器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-27, 2010-08-12
发明人:  尹小杰;  王 玥;  吴远大;  安俊明;  李建光;  王红杰;  胡雄伟
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半导体材料磁性和光学性质的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  石丽洁
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵杰;  胡礼中;  王维维
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄振;  于斌;  赵国忠;  张存林;  崔利杰;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李俊一;  安俊明;  吴远大;  李建光;  王红杰;  胡雄伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  吴远大;  安俊明;  李建光;  王玥;  尹小杰;  张家顺;  王红杰;  胡雄伟
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紫外光直写制作掺铒杂化SiO2光波导放大器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王鵫;  吴远大;  李建光;  王红杰;  安俊明;  胡雄伟
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砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  高宏玲;  曾一平;  段瑞飞;  王宝强;  朱战平;  崔利杰
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混合集成单纤三向器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  胡雄伟;  安俊明;  吴远大;  李建光;  王红杰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li-Yan, S;  Tie, L;  Wen-Zheng, Z;  Zhi-Ming, H;  Dong-Lin, L;  Hong-Ling, G;  Li-Jie, C;  Yi-Ping, Z;  Shao-Ling, G;  Jun-Hao, C;  Li-Yan, S, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China.
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