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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jia L; Zhang F; Li M; Liu YL; Chen ZY; Jia L Peking Univ Sch Elect Engn & Comp Sci State Key Lab Adv Opt Commun Syst & Networks Beijing 100871 Peoples R China. E-mail Address: fzhang@pku.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen C (Chen Chen); Jia R (Jia Rui); Li WL (Li Weilong); Li HF (Li Haofeng); Ye TC (Ye Tianchun); Liu XY (Liu Xinyu); Liu M (Liu Ming); Kasai S (Kasai Seiya); Tamotsu H (Tamotsu Hashizume); Wu NJ (Wu Nanjian); Jia, R, Chinese Acad Sci, Inst Microelect, Beijing 100029, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiarui@ime.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 沈海波; 郭亨群; 王国立; 王加贤; 吴志军; 宋江婷; 徐骏; 陈坤基; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 宋江婷; 郭亨群; 王加贤; 吴志军; 王国立; 沈海波; 徐骏; 陈坤基; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jia Liang; Zhang Fan; Li Ming; Liu Yuliang; Chen Zhangyuan
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| 基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉 ; 李家业; 王雷; 赵万顺; 李晋闽; 曾一平
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| 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 李家业; 赵永梅; 刘兴昉
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| 用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘兴昉; 孙国胜; 李晋闽; 赵永梅; 王雷; 赵万顺; 李家业; 曾一平
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| 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04
发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 李家业; 赵永梅; 刘兴昉
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| 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 李家业; 赵永梅; 刘兴昉
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