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一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王立彬;  伊晓燕;  刘志强;  陈宇;  郭德博;  王良臣
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低损伤PECVD沉积致密SiO2的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈宇;  王良臣;  伊晓燕;  李艳
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘志强;  王良臣;  于丽娟;  郭金霞;  伊晓燕;  王立彬;  陈宇;  马龙
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王立彬;  陈宇;  刘志强;  伊晓燕;  马龙;  潘领峰;  王良臣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王立彬;  刘志强;  陈宇;  伊晓燕;  马龙;  潘领峰;  王良臣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈宇;  严丽红;  王良臣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘志强;  王良臣;  于丽娟;  郭金霞;  伊晓燕;  马龙;  王立彬;  陈宇
Adobe PDF(443Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：879/278  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  伊晓燕;  郭金霞;  马龙;  王立彬;  陈宇;  刘志强;  王良臣
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