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硅基稀土掺杂电致发光器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  王晓欣;  成步文;  余金中;  王启明
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制备硅基带边发光以及非线性电光材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  王晓欣;  丁武昌;  成步文;  余金中;  王启明
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硅基稀土掺杂发光材料掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  王晓欣;  成步文;  余金中;  王启明
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声子调控间接带隙半导体材料横向电注入发光器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  王晓欣;  成步文;  余金中;  王启明
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稀土复合离子注入发光材料制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  王晓欣;  成步文;  余金中;  王启明
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硅基高效等电子掺杂发光器件及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  王晓欣;  成步文;  余金中;  王启明
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半导体应变弛豫材料的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  成步文;  姚飞;  薛春来;  张建国;  左玉华;  王启明
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用等离子体处理提高硅基晶体薄膜发光的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓欣;  张建国;  王启明
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硅基材料发光特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  张建国
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包含硅基稀土掺杂发光材料的电致发光器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  成步文;  余金中;  王启明
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