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提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-24, 2010-08-12
发明人:  石明吉;  曾湘波;  张长沙;  刘石勇;  彭文博;  肖海波
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ji HM (Ji Hai-Ming);  Yang T (Yang Tao);  Cao YL (Cao Yu-Lian);  Xu PF (Xu Peng-Fei);  Gu YX (Gu Yong-Xian);  Liu Y (Liu Yu);  Xie L (Xie Liang);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: tyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ji HM (Ji Hai-Ming);  Yang T (Yang Tao);  Cao YL (Cao Yu-Lian);  Xu PF (Xu Peng-Fei);  Gu YX (Gu Yong-Xian);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Ji, HM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu PF (Xu Peng-Fei);  Yang T (Yang Tao);  Ji HM (Ji Hai-Ming);  Cao YL (Cao Yu-Lian);  Gu;  YX (Gu Yong-Xian);  Liu Y (Liu Yu);  Ma WQ (Ma Wen-Quan);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: tyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ji HM (Ji Hai-Ming);  Yang T (Yang Tao);  Cao YL (Cao Yu-Lian);  Xu PF (Xu Peng-Fei);  Gu YX (Gu Yong-Xian);  Ma;  WQ (Ma Wen-Quan);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: tyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao YL (Cao Yu-Lian);  Yang T (Yang Tao);  Xu PF (Xu Peng-Fei);  Ji HM (Ji Hai-Ming);  Gu YX (Gu Yong-Xian);  Wang XD (Wang Xiao-Dong);  Wang Q (Wang Qing);  Ma WQ (Ma Wen-Quan);  Chen LH (Chen Liang-Hui);  Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gu YX (Gu Yong-Xian);  Yang T (Yang Tao);  Ji HM (Ji Hai-Ming);  Xu PF (Xu Peng-Fei);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zeng C (Zeng Chang);  Zhang SM (Zhang Shu-Ming);  Ji L (Ji Lian);  Wang HB (Wang Huai-Bing);  Zhao DG (Zhao De-Gang);  Zhu JJ (Zhu Jian-Jun);  Liu ZS (Liu Zong-Shun);  Jiang DS (Jiang De-Sheng);  Cao Q (Cao Qing);  Chong M (Chong Ming);  Duan LH (Duan Li-Hong);  Wang H (Wang Hai);  Shi YS (Shi Yong-Sheng);  Liu SY (Liu Su-Ying);  Yang H (Yang Hui);  Chen LH (Chen Liang-Hui);  Zeng, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: smzhang@red.semi.ac.cn
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高性能1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  季海铭
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High brightness InAs/GaAs quantum dot tapered laser at 1.3 mu m with high temperature stability 会议论文
Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering vol.7844: Art. No. 784404 2010, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-19, 2010
作者:  Cao YL (Cao Yu-Lian);  Xu PF (Xu Peng-fei);  Ji HM (Ji Hai-Ming);  Yang T (Yang Tao);  Chen LH (Chen Liang-Hui)
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