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一种多孔磷化铟的电化学池及电化学腐蚀体系及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  车晓玲;  刘峰奇;  黄秀颀;  雷文;  刘俊岐;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu FQ;  Shao Y;  Huang XQ;  Wang ZG;  Liu, FQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fqliu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lei W;  Chen YH;  Wang YL;  Huang XQ;  Zhao C;  Liu JQ;  Xu B;  Jin P;  Zeng YP;  Wang ZG;  Lei, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ahleiwen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang, XQ;  Wang, YL;  Li, L;  Liang, L;  Liu, FQ;  Liu, FQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fqliu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄家乐;  毛陆虹;  陈弘达;  高鹏;  刘金彬;  雷晓荃
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄秀颀;  刘峰奇;  车晓玲;  刘俊岐;  雷文;  王占国
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