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以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王元立;  吴巨;  金鹏;  叶小玲;  张春玲;  黄秀颀;  陈涌海;  王占国
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Lateral intersubband photocurrent study on InAs/InAlas/InP self-assembled nanostructures 会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:  Lei W;  Chen YH;  Jin P;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG;  Huang XQ;  Lei, W, Acad Sinica, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Lateral Intersubband Photocurrent