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制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  王军喜;  钟兴儒;  李晋闽;  曾一平;  段瑞飞;  马平;  魏同波;  林郭强
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氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102208502A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  詹腾;  汪炼成;  郭恩卿;  刘志强;  伊晓燕;  王国宏
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栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534622.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  刘志强;  郭恩卿;  伊晓燕;  汪炼成;  王国宏;  李晋闽
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栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534772.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  刘志强;  郭恩卿;  伊晓燕;  汪炼成;  王国宏;  李晋闽
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减少激光剥离损伤的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910087351.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  段瑞飞;  王良臣;  刘志强;  季安;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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自支撑氮化镓衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102208340A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  孙波;  伊晓燕;  刘志强;  汪炼成;  郭恩卿;  王国宏
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用于皮下药物注射的基于柔性基底的微针阵列及其制法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910083494.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  裴为华;  王宇;  郭凯;  归强;  王淑静;  朱琳;  陈弘达
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一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010106773.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-07-14, 2011-08-30
发明人:  王国伟;  汤宝;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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用于金属化学气相沉积设备反应室的进气喷淋头 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102492937A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  冉军学;  胡强;  梁勇;  胡国新;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157903A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  迂修;  张宇;  王国伟;  徐应强;  徐云;  宋国峰
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