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SiC深能级缺陷与硅上 In线光致相变的第一性原理研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  顾宇翔
Adobe PDF(6264Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：212/1  |  提交时间：2022/07/26