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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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期刊影响因子降序
WOS被引频次升序
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生长氧化锌纳米棒阵列的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 3994
发明人:
范海波
;
杨少延
;
张攀峰
;
魏鸿源
;
刘祥林
;
朱勤生
;
陈涌海
;
王占国
Adobe PDF(330Kb)
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浏览/下载:1399/249
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提交时间:2010/03/19
用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
闫发旺
;
高海永
;
樊中朝
;
李晋闽
;
曾一平
;
王国宏
;
张会肖
;
王军喜
;
张扬
Adobe PDF(556Kb)
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浏览/下载:1551/269
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li Yan
;
Wang Xiaofeng
;
Zhang Jiayong
;
Wang Xiaodong
;
Fan Zhongchao
;
Yang Fuhua
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浏览/下载:1098/285
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提交时间:2010/11/23
一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
范海波
;
李成明
;
陈涌海
;
王占国
Adobe PDF(1055Kb)
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浏览/下载:1214/178
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提交时间:2009/06/11
一种生长氧化锌薄膜的装置及方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
刘祥林
;
赵凤瑷
;
焦春美
;
董向芸
;
张晓沛
;
范海波
;
魏宏源
;
张攀峰
;
王占国
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浏览/下载:1236/138
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提交时间:2009/06/11
一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
范海波
;
李成明
;
陈涌海
;
王占国
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浏览/下载:1190/186
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen JJ
;
Li ZF
;
Fan ZC
;
Yang FH
;
Chen, JJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res Ctr Semicond Integrat, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jjchen@semi.ac.cn
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浏览/下载:988/258
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提交时间:2010/03/08
Color filter-less technology of LED back light for LCD-TV - art. no. 68410G
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Fan, MN
;
Liang, M
;
Guo, DB
;
Yang, FH
;
Wang, LC
;
Wang, GH
;
Li, JM
;
Fan, MN, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Lighting, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1766/0
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提交时间:2010/03/09
Led Back Light Unit
Color Filter-less
Emitting Phosphors
Liquid Crystal Display
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yang, AL
;
Wei, HY
;
Liu, XL
;
Song, HP
;
Fan, HB
;
Zhang, PF
;
Zheng, GL
;
Yang, SY
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
;
Yang, AL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: alyang@semi.ac.cn
;
xlliu@semi.ac.cn
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浏览/下载:1122/379
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang BL
;
Cai FF
;
Sun GS
;
Fan HB
;
Zhang PF
;
Wei HY
;
Liu XL
;
Yang SY
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Zhang, BL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangbaoli@semi.ac.cn
;
qszhu@semi.ac.cn
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浏览/下载:1309/412
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提交时间:2010/03/08