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中国科学院半导体研究所机构知识库
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专题:中科院半导体材料科学重点实验室
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第一作者单位
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期刊论文
作者:
Yuanzheng Li
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Weizhen Liu
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Jia Shi
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Wenna Du
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Wei Zhang
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Qiushi Feng
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Jiaxu Yan
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Cen Zhang
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Yichun Liu
;
Xinfeng Liu
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提交时间:2021/11/30
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xiaoye Wang
;
Xue Bai
;
Xiaoguang Yang
;
Xiaoming Liu
;
Wenna Du
;
Tao Yang
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2021/06/28
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xiaoguang Yang
;
Wenna Du
;
Xianghai Ji
;
Xingwang Zhang
;
Tao Yang
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浏览/下载:135/0
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提交时间:2019/11/15
Si基InAsSb纳米线MOCVD生长及机理研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:
杜文娜
Adobe PDF(6743Kb)
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浏览/下载:1009/56
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提交时间:2016/05/31
Inassb纳米线
生长机制
平面纳米线
纳米线阵列
金属有机化学气相沉积
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xianghai Ji
;
Xiaoguang Yang
;
Wenna Du
;
Huayong Pan
;
Tao Yang
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浏览/下载:323/2
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提交时间:2017/03/10
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xianghai Ji
;
Xiaoguang Yang
;
Wenna Du
;
Huayong Pan
;
Shuai Luo
;
Haiming Ji
;
H Q Xu
;
Tao Yang
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浏览/下载:455/5
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提交时间:2017/03/10
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wenna Du
;
Xiaoguang Yang
;
Huayong Pan
;
Xianghai Ji
;
Haiming Ji
;
Shuai Luo
;
Xingwang Zhang
;
Zhanguo Wang
;
Tao Yang
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浏览/下载:448/3
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提交时间:2017/03/10
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wenna Du
;
Xiaoguang Yang
;
Huayong Pan
;
Xiaoye Wang
;
Haiming Ji
;
Shuai Luo
;
Xianghai Ji
;
Zhanguo Wang
;
Tao Yang
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浏览/下载:269/2
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提交时间:2016/03/22
硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:
杨涛
;
杜文娜
;
杨晓光
;
王小耶
;
季祥海
;
王占国
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浏览/下载:514/4
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提交时间:2016/09/12
直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
发明人:
杜文娜
;
杨晓光
;
王小耶
;
杨涛
;
王占国
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浏览/下载:736/203
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提交时间:2014/11/24