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半导体应变弛豫材料的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  成步文;  姚飞;  薛春来;  张建国;  左玉华;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cheng BW;  Yao F;  Xue CL;  Zhang JG;  Li CB;  Mao RW;  Zuo YH;  Luo LP;  Wang QM;  Cheng, BW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Si-based membrane resonant cavity enhanced photodetectors 会议论文
2005 2nd IEEE International Conference on Group IV Photonics, Antwerp, BELGIUM, SEP 21-23, 2005
作者:  Cheng BW;  Yao F;  Xue CL;  Zhang JU;  Mao RW;  Li CB;  Luo LP;  Zuo YH;  Wang QM;  Cheng, BW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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1.3 Mu-m  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cheng BW;  Li CB;  Yao F;  Xue CL;  Zhang JG;  Mao RW;  Zuo YH;  Luo LP;  Wang QM;  Cheng, BW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cbw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  成步文;  姚飞;  薛春来;  张建国;  李传波;  毛容伟;  左玉华;  罗丽萍;  王启明
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一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183385.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  胡炜玄;  成步文;  薛春来;  张广泽;  王启明
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