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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中科院半导体照明研... [35]
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伊晓燕 [8]
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专题:中科院半导体照明研发中心
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期刊论文
作者:
Weijiang Li
;
Liang Guo
;
Shengnan Zhang
;
Qiang Hu
;
Hongjuan Cheng
;
Junxi Wang
;
Jinmin Li
;
Tongbo Wei
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提交时间:2021/06/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Weijiang Li
;
Liang Guo
;
Shengnan Zhang
;
Qiang Hu
;
Hongjuan Cheng
;
Junxi Wang
;
Jinmin Li
;
Tongbo Wei
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提交时间:2021/06/16
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ting Tian
;
Teng Zhan
;
Jinxia Guo
;
Jun Ma
;
Yan Cheng
;
Yun Zhao
;
Xiaoyan Yi
;
Zhiqiang Liu
;
Guohong Wang
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提交时间:2016/04/15
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhi-Guo Yu
;
Li-Xia Zhao
;
Shi-Chao Zhu
;
Xue-Cheng Wei
;
Xue-Jiao Sun
;
Lei Liu
;
Jun-Xi Wang
;
Jin-Min Li
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浏览/下载:285/4
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提交时间:2016/04/15
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yu, Zhi-Guo
;
Zhao, Li-Xia
;
Wei, Xue-Cheng
;
Lu, Hong-Xi
;
Wang, Jun-Xi
;
Zeng, Yi-Ping
;
Li, Jin-Min
;
Sun, Xue-Jiao
;
An, Ping-Bo
;
Zhu, Shi-Chao
;
Liu, Lei
;
Tian, Li-Xin
;
Zhang, Feng
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提交时间:2015/03/19
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang, Yiyun
;
Guo, Enqing
;
Cheng, Yan
;
Ma, Jun
;
Wang, Liancheng
;
Liu, Zhiqiang
;
Yi, Xiaoyan
;
Wang, Guohong
;
Li, Jinmin
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浏览/下载:1083/323
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提交时间:2013/10/10
氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214743A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
郭恩卿
;
伊晓燕
;
汪炼成
;
孙波
;
王国宏
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浏览/下载:1380/234
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提交时间:2012/09/09
氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102208502A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
詹腾
;
汪炼成
;
郭恩卿
;
刘志强
;
伊晓燕
;
王国宏
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浏览/下载:1368/211
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提交时间:2012/09/09
应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214753A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
张逸韵
;
汪炼成
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郭恩卿
;
孙波
;
伊晓燕
;
王国宏
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浏览/下载:1907/355
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提交时间:2012/09/09
氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251507.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
郭恩卿
;
刘志强
;
汪炼成
;
伊晓燕
;
王莉
;
王国宏
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浏览/下载:1605/234
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提交时间:2011/08/31