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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, WJ (Wang Wen-Jie);  Deng, JJ (Deng Jia-Jun);  Fu, XQ (Fu Xing-Qiu);  Hu, B (Hu Bing);  Ding, K (Ding Kun);  Wang, WJ, N China Elect Power Univ, Dept Math & Phys, Beijing 102206, Peoples R China. 电子邮箱地址: wwj2008@ncepu.edu.cn
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采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  雷红兵;  王红杰;  胡雄伟;  邓晓清;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  雷红兵;  王红杰;  邓晓清;  杨沁清;  胡雄伟;  王启明;  廖左升;  杨基南
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘宝利;  徐仲英;  王炳新;  邓元明;  杨富华
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