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具有布拉格反射器的n+/p型高抗辐照GaAs太阳电池 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  白一鸣;  陈诺夫;  戴瑞烜;  王鹏;  王晓东
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  白一鸣;  陈诺夫;  彭长涛;  梁平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang P (Wang Peng);  Chen NF (Chen Nuofu);  Yin ZG (Yin Zhigang);  Dai RX (Dai Ruixuan);  Bai YM (Bai Yiming);  Wang, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: pwang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang P (Wang Peng);  Chen NF (Chen Nuofu);  Yin ZG (Yin Zhigang);  Yang F (Yang Fei);  Peng CT (Peng Changtao);  Dai RX (Dai Ruixuan);  Bai YM (Bai Yiming);  Wang, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: pwang@semi.ac.cn
Adobe PDF(176Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1225/478  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang FZ;  Chen ZH;  Sun J;  Bai LH;  Huang SH;  Xiong H;  Jin P;  Wang ZG;  Shen SC;  Chen, ZH, Fudan Univ, Dept Phys, Surface Phys Lab, Shanghai 200433, Peoples R China. E-mail: zhanghai@fudan.edu.cn
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Temperature and power-density-dependent inter-shell energy states in InAs/GaAs quantum dots 会议论文
JOURNAL OF LUMINESCENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 01-05, 2005
作者:  Wang FZ;  Chen ZH;  Sun J;  Bai LH;  Huang SH;  Xiong H;  Jin P;  Wang ZG;  Shen SC;  Chen, ZH, Fudan Univ, Dept Phys, Surface Phys Lab, Shanghai 200433, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhanghai@fudan.edu.cn
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Quantum Dots  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  白一鸣;  陈诺夫;  戴瑞炬;  王鹏;  彭长涛
Adobe PDF(267Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：785/221  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang FZ;  Chen ZH;  Bai LH;  Huang SH;  Xiong H;  Shen SC;  Sun J;  Jin P;  Wang ZG;  Wang, FZ, Fudan Univ, Dept Phys, Surface Phys Lab, Shanghai 200433, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhanghai@fudan.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郑红军;  卜俊鹏;  尹玉华;  白玉柯
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郑红军;  卜俊鹏;  何宏家;  吴让元;  曹福年;  白玉珂;  惠峰
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