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降低磷离子注入（0001）取向的4H-碳化硅电阻率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  高欣;  孙国胜;  李晋闽;  王雷;  赵万顺
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Homoepitaxial growth and characterization of 4H-SiC epilayers by low-pressure hot-wall chemical vapor deposition 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2005丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Pittsburgh, PA, SEP 18-23, 2005
作者:  Sun, GS (Sun, Guosheng);  Ning, J (Ning, Jin);  Gong, QC (Gong, Quancheng);  Gao, X (Gao, Xin);  Wang, L (Wang, Lei);  Liu, XF (Liu, Xingfang);  Zeng, YP (Zeng, Yiping);  Li, JM (Li, Jinmin);  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Homoepitaxial Growth  Low-pressure Hot-wall Cvd  Structural And Optical Characteristics  Intentional Doping  Schottky Barrier Diodes  
4H-SiC 同质外延生长与器件制作 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者:  高欣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  高欣;  孙国胜;  李晋闽;  赵万顺;  王雷;  张永兴;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  SUN Guosheng;  WANG Lei;  GONG Quancheng;  GAO Xin;  LIU Xingfang;  ZENG Yiping;  LI JinminL
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  SUN Guosheng;  NING Jin;  GAO Xin;  GONG Quancheng;  WANG Lei;  LIU Xingfang;  ZENG Yiping;  LI Jinmin
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Yongxing;  Sun Guosheng;  Wang Lei;  Zhao Wanshun;  Gao Xin;  Zeng Yiping;  Li Jinmin;  Li Siyuan
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun Guosheng;  Zhang Yongxing;  Gao Xin;  Wang Junxi;  Wang Lei;  Zhao Wanshun;  Wang Xiaoliang;  Zeng Yiping;  Li Jinmin
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao Xin;  Sun Guosheng;  Li Jinmin;  Wang Lei;  Zhao Wanshun;  Zhang Yongxin;  Zeng Yiping
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun Guosheng;  Gao Xin;  Zhang Yongxing;  Wang Lei;  Zhao Wanshun;  Zeng Yiping;  Li Jinmin
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