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大功率650nm量子阱半导体激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  史慧玲;  郑凯
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  林涛;  郑凯;  马骁宇
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