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MOCVD生长掺杂半导体材料的低温退火方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-11-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韦欣
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含高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王青;  何国荣;  渠红伟;  韦欣;  宋国峰;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XW (Wang Xin-Wei);  Li ZL (Li Zhi-Lei);  Sheng QQ (Sheng Qiu-Qin);  Wang, XW, Nankai Univ, Inst Phys, Tianjin 300071, Peoples R China. 电子邮箱地址: sinvaywang@yahoo.com.cn
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铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  林涛;  江李;  陈芳;  刘素平;  潭满清;  王国宏;  韦欣;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kai Zheng;  Tao Lin;  Li Jiang;  Jun Wang;  Suping Liu;  Xin Wei;  Guangze Zang;  Xiaoyu Ma
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低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  江李;  林涛;  韦欣;  王国宏;  马骁宇
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带有锥形增益区的脊型波导高功率半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张洪波;  韦欣;  朱晓鹏;  王国宏;  马骁宇
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GaAs 基新型半导体材料的 MOCVD 生长及其在光电子器件中的应用研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2002
作者:  韦欣
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