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| 基于激光退火的 InGaN 基绿光 LED 效率提升研究 学位论文
工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 王新维
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| 半导体量子点量子比特的建构与调控的理论研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 辛伟
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| MOCVD生长掺杂半导体材料的低温退火方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-11-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韦欣
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| 含高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王青; 何国荣; 渠红伟; 韦欣; 宋国峰; 陈良惠
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| 铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 林涛; 江李; 陈芳; 刘素平; 潭满清; 王国宏; 韦欣; 马骁宇
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| 低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 江李; 林涛; 韦欣; 王国宏; 马骁宇
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| 带有锥形增益区的脊型波导高功率半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张洪波; 韦欣; 朱晓鹏; 王国宏; 马骁宇
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| GaAs 基新型半导体材料的 MOCVD 生长及其在光电子器件中的应用研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2002
作者: 韦欣
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| 基于深度指纹获取远距离视频监控目标特征尺寸的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010564580.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王新伟; 周燕; 范松涛; 刘育梁
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| 基于平均灰度的距离选通图像有效信息区的提取方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102136068A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-07-27, 2012-09-07
发明人: 王国华; 王新伟; 周燕; 刘育梁
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