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改进的部分耗尽绝缘体上硅静态随机存储器存储单元 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:  赵 凯;  刘忠立;  于 芳
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵凯;  刘忠立;  于芳;  高见头;  肖志强;  洪根深
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抗辐射128Kb PDSOI SRAM的实现与结构化ASIC的设计方法研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  赵凯
Adobe PDF(5868Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1014/10  |  提交时间：2009/04/13