SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共25条,第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, Xingfang;  Sun, Guosheng;  Liu, Bin;  Yan, Guoguo;  Guan, Min;  Zhang, Yang;  Zhang, Feng;  Chen, Yu;  Dong, Lin;  Zheng, Liu;  Liu, Shengbei;  Tian, Lixin;  Wang, Lei;  Zhao, Wanshun;  Zeng, Yiping
Adobe PDF(502Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1275/294  |  提交时间:2013/08/27
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, Wanshun;  Sun, Guosheng;  Wu, Hailei;  Yan, Guoguo;  Zheng, Liu;  Dong, Lin;  Wang, Lei;  Liu, Xingfang;  Yang, Lijun
Adobe PDF(250Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:754/175  |  提交时间:2013/04/22
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong, Lin;  Sun, Guosheng;  Zheng, Liu;  Liu, Xingfang;  Zhang, Feng;  Yan, Guoguo;  Zhao, Wanshun;  Wang, Lei;  Li, Xiguang;  Wang, Zhanguo
Adobe PDF(654Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:734/154  |  提交时间:2013/04/22
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang F (Zhang Feng);  Sun GS (Sun Guosheng);  Huang HL (Huang Huolin);  Wu ZY (Wu Zhengyun);  Wang L (Wang Lei);  Zhao WS (Zhao Wanshun);  Liu XF (Liu Xingfang);  Yan GG (Yan Guoguo);  Zheng L (Zheng Liu);  Dong L (Dong Lin);  Zeng YP (Zeng Yiping)
Adobe PDF(224Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:902/260  |  提交时间:2012/02/22
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, Feng;  Sun, Guosheng;  Huang, Huolin;  Wu, Zhengyun;  Wang, Lei;  Zhao, Wanshun;  Liu, Xingfang;  Yan, Guoguo;  Zheng, Liu;  Dong, Lin;  Zeng, Yiping;  Zhang, F.(fzhang@semi.ac.cn)
Adobe PDF(234Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1167/379  |  提交时间:2012/06/14
一种多片碳化硅半导体材料制造装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  闫果果;  孙国胜;  刘兴昉;  张峰;  王雷;  赵万顺;  曾一平
Adobe PDF(445Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:475/1  |  提交时间:2016/09/12
一种原子层沉积设备 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人:  赵万顺;  张峰;  王雷;  曾一平
Adobe PDF(1224Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:623/48  |  提交时间:2014/12/25
沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人:  郑柳;  孙国胜;  张峰;  刘兴昉;  王雷;  赵万顺;  闫果果;  董林;  刘胜北;  刘斌;  田丽欣;  曾一平
Adobe PDF(544Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1263/136  |  提交时间:2014/11/24
沟槽型MOS势垒肖特基二极管 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  郑柳;  孙国胜;  张峰;  刘兴昉;  王雷;  赵万顺;  闫果果;  董林;  刘胜北;  刘斌;  田丽欣;  曾一平
Adobe PDF(241Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1470/130  |  提交时间:2014/11/24
在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人:  郑柳;  孙国胜;  刘兴昉;  张峰;  王雷;  赵万顺;  闫果果;  董林;  刘胜北;  刘斌;  曾一平
Adobe PDF(390Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:832/125  |  提交时间:2014/10/31