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| 制备大尺寸GaN自支撑衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235336.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 胡强; 段瑞飞 ; 魏同波; 杨建坤; 霍自强; 曾一平
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| 在蓝宝石图形衬底上制备无应力GaN厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235335.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 胡强; 段瑞飞; 魏同波; 杨建坤; 霍自强; 曾一平
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| 用于金属化学气相沉积设备反应室的进气喷淋头 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102492937A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人: 冉军学; 胡强; 梁勇; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| MOCVD设备的石墨托盘 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 纪攀峰; 孔庆峰; 王文军; 胡强; 马平; 曾一平; 王军喜; 李晋闽
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| 制备GaN厚膜垂直结构LED的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-13, 2013-03-13
发明人: 羊建坤; 魏同波; 胡强; 霍自强; 段瑞飞; 王军喜
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| 截面为多边形的晶棒及衬底片表面取向的标识方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014
发明人: 王文军; 李晋闽; 王军喜; 马平; 纪攀峰; 郭金霞; 孔庆峰; 胡强
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| 用于MOCVD系统中控制外延片发光波长及均匀性的装置与方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22
发明人: 纪攀峰; 马平; 王军喜; 胡强; 冉军学; 曾一平; 李晋闽
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| 优化配置的多腔室MOCVD反应系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-05
发明人: 纪攀峰; 马平; 王军喜; 胡强; 冉军学; 曾一平; 李晋闽
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| 生长半极性GaN厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19
发明人: 羊建坤; 魏同波; 霍自强; 张勇辉; 胡强; 段瑞飞; 王军喜
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| 一种双加热气相外延生长系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-04
发明人: 胡强; 魏同波; 羊建坤; 霍自强; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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