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| 在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人: 王晓亮; 罗卫军; 郭伦春; 肖红领; 李建平; 李晋闽
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| 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 马志勇; 冉学军; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 唐健; 罗卫军
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| 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 马志勇; 王晓亮; 冉军学; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 罗卫军
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| 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 马志勇; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅; 罗卫军
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| AlGaN/GaN HEMT材料及微波功率器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者: 罗卫军
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen Zhigang; Zhang Yang ; Luo Weijun; Zhang Renping; Yang Fuhua; Wang Xiaoliang; Li Jinmin
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Luo WJ (Luo Weijun); Wei K (Wei Ke); Chen XJ (Chen Xiaojuan); Li CZ (Li Chengzhan); Liu XY (Liu Xinyu); Wang XL (Wang Xiaoliang); Luo, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: luoweijun@mail.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yao Xiaojiang; Li Bin; Chen Yanhu; Chen Xiaojuan; Wei Ke; Li Chengzhan; Luo Weijun; WANG Xiaoliang; Liu Dan; Liu Guoguo; Liu Xinyu
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 罗卫军; 陈晓娟; 李成瞻; 刘新宇; 和致经; 魏珂; 梁晓新; 王晓亮
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Luo Weijun; Chen Xiaojuan; Liang Xiaoxin; Ma Xiaolin; Liu Xinyu; Wang Xiaoliang
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