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| 在衬底上生长异变缓冲层的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
发明人: 贺继方; 尚向军; 倪海桥; 王海莉; 李密峰; 朱岩; 王莉娟; 喻颖; 贺正宏; 徐应强; 牛智川
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| 制备微透镜阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-13, 2013-03-13
发明人: 査国伟; 喻颖; 李密峰; 王莉娟; 倪海桥; 贺正宏; 牛智川
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| 自组织单量子点的定位方法及装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人: 尚向军; 倪海桥; 査国伟; 喻颖; 李密峰; 王莉娟; 徐建星; 牛智川
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| 一种光纤与光电子器件垂直耦合的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
发明人: 査国伟; 牛智川; 倪海桥; 李密锋; 喻颖; 王莉娟; 徐建星; 尚向军; 贺振宏
Adobe PDF(249Kb) | 收藏 | 浏览/下载：913/98 | 提交时间：2014/11/17 |
| 在GaAs纳米线侧壁利用纳米环作为掩膜生长量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-23
发明人: 査国伟; 李密锋; 喻颖; 王莉娟; 徐建星; 尚向军; 倪海桥; 贺振宏; 牛智川
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| 硅基半导体超短脉冲激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-11-27
发明人: 丁颖; 倪海桥; 李密锋; 喻颖; 查国伟; 徐建新; 王莉娟; 牛智川
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| 基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22
发明人: 喻颖; 李密锋; 贺继方; 査国伟; 徐建星; 尚向军; 王莉娟; 倪海桥; 贺振宏; 牛智川
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| 基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22
发明人: 王莉娟; 喻颖; 査国伟; 徐建星; 倪海桥; 牛智川
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| 在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人: 査国伟; 李密锋; 喻颖; 王莉娟; 徐建星; 尚向军; 倪海桥; 贺振宏; 牛智川
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| 一种提高光栅结构均匀度的电子束曝光方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 王莉娟; 喻颖; 査国伟; 徐建星; 倪海桥; 牛智川
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