中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR
（本次检索基于用户作品认领结果）

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助

限定条件        
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251507.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭恩卿;  刘志强;  汪炼成;  伊晓燕;  王莉;  王国宏
Adobe PDF(317Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1562/234  |  提交时间：2011/08/31
氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251508.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭恩卿;  刘志强;  汪炼成;  伊晓燕;  王莉;  王国宏
Adobe PDF(314Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1694/266  |  提交时间：2011/08/31