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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kong Liu;  Yang Sun;  Qicong Li;  Cheng Yang;  Muhammad Azam;  Zhijie Wang;  Shengchun Qu;  Zhanguo Wang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JM;  Liu XL;  Li CM;  Wei HY;  Guo Y;  Jiao CM;  Li ZW;  Xu XQ;  Song HP;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Yang AL;  Yang TY;  Wang HH;  Liu, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. liujianming@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:  李辉杰;  杨少延;  魏鸿源;  赵桂娟;  汪连山;  李成明;  刘祥林;  王占国
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AlN单晶衬底生产设备及其使用方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  李辉杰;  杨少延;  魏鸿源;  赵桂娟;  汪连山;  李成明;  刘祥林;  王占国
Adobe PDF(600Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：507/5  |  提交时间：2016/09/22