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一种氮化物薄膜外延生长的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人:  闫发旺;  高海永;  张 扬;  张会肖;  李晋闽;  曾一平;  王国宏 
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用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高海永;  樊中朝;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖;  王军喜;  张扬
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一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高永海;  张扬;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, LL (Sun, Lili);  Yan, FW (Yan, Fawang);  Zhang, HX (Zhang, Huixiao);  Wang, JX (Wang, Junxi);  Zeng, YP (Zeng, Yiping);  Wang, GH (Wang, Guohong);  Li, JM (Li, Jinmin);  Sun, LL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Qinghua E Rd A35, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lilisun@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, LL (Sun, Lili);  Yan, FW (Yan, Fawang);  Zhang, HX (Zhang, Huixiao);  Wang, JX (Wang, Junxi);  Zeng, YP (Zeng, Yiping);  Wang, GH (Wang, Guohong);  Li, JM (Li, Jinmin);  Sun, LL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lilisun@semi.ac.cn
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