|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-10
发明人: 何志; 张峰; 樊中朝; 赵咏梅; 孙国胜; 季安; 杨富华
 Adobe PDF(428Kb) |  收藏 | 浏览/下载：743/98 | 提交时间：2014/10/29 |
| 一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
Adobe PDF(349Kb) | 收藏 | 浏览/下载：608/0 | 提交时间：2016/08/30 |
| 具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 王进泽; 杨香; 颜伟; 刘胜北; 赵继聪; 何志; 王晓东; 杨富华
Adobe PDF(607Kb) | 收藏 | 浏览/下载：612/1 | 提交时间：2016/08/30 |
| 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 杨香; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 田丽欣; 刘敏; 申占伟; 赵万顺; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
Adobe PDF(1167Kb) | 收藏 | 浏览/下载：675/0 | 提交时间：2016/09/29 |
| 一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
Adobe PDF(568Kb) | 收藏 | 浏览/下载：490/3 | 提交时间：2016/09/28 |
| 半导体器件、透明金属网状电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-02
发明人: 张硕; 段瑞飞; 何志; 魏同波; 张勇辉; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽
Adobe PDF(389Kb) | 收藏 | 浏览/下载：576/4 | 提交时间：2016/09/02 |
| 一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 李迪; 贾利芳; 何志; 樊中朝; 杨富华
Adobe PDF(982Kb) | 收藏 | 浏览/下载：521/2 | 提交时间：2016/09/12 |
| 材料扩散互溶实现碳化硅键合的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 赵永梅; 何志; 季安; 刘胜北; 黄亚军; 杨香; 段瑞飞; 张明亮; 王晓东; 杨富华
Adobe PDF(323Kb) | 收藏 | 浏览/下载：632/3 | 提交时间：2016/09/28 |
| 一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 赵永梅; 何志; 季安; 王晓峰; 黄亚军; 潘岭峰; 樊中朝; 王晓东; 杨富华
Adobe PDF(392Kb) | 收藏 | 浏览/下载：520/2 | 提交时间：2016/09/12 |
| 一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 贾利芳; 何志; 刘志强; 李迪; 樊中朝; 程哲; 梁亚楠; 王晓东; 杨富华
Adobe PDF(683Kb) | 收藏 | 浏览/下载：589/5 | 提交时间：2016/08/30 |
