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栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534622.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  刘志强;  郭恩卿;  伊晓燕;  汪炼成;  王国宏;  李晋闽
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栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534772.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  刘志强;  郭恩卿;  伊晓燕;  汪炼成;  王国宏;  李晋闽
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减少激光剥离损伤的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910087351.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  段瑞飞;  王良臣;  刘志强;  季安;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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