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| 氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214743A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 郭恩卿; 伊晓燕 ; 汪炼成; 孙波; 王国宏
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| 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214753A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 张逸韵; 汪炼成; 郭恩卿; 孙波; 伊晓燕; 王国宏
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| 自支撑氮化镓衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102208340A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 孙波; 伊晓燕; 刘志强; 汪炼成; 郭恩卿; 王国宏
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| 植入空气隙光子晶体的氮化镓基发光二极管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26
发明人: 杜成孝; 郑海洋; 魏同波; 王军喜; 李晋闽
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| 银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人: 孙波; 赵丽霞; 伊晓燕; 刘志强; 魏学成; 王国宏
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| 纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人: 孙波; 赵丽霞; 伊晓燕; 刘志强; 魏学成; 王国宏
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| 制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人: 孙波; 赵丽霞; 伊晓燕; 刘志强; 魏学成; 王国宏
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| 纳米氮化镓发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人: 孙波; 赵丽霞; 伊晓燕; 刘志强; 魏学成; 王国宏
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| 大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人: 孙波; 赵丽霞; 伊晓燕; 刘志强; 魏学成; 王国宏
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| 一种具有六棱锥形p型氮化镓的发光二极管制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15
发明人: 杜成孝; 魏同波; 吴奎; 王军喜; 李晋闽
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