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半导体可饱和吸收镜及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王翠鸾;  王勇刚;  林涛;  王俊;  郑凯;  冯小明;  仲莉;  马杰慧;  马骁宇
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低温生长砷化镓式半导体可饱和吸收镜 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-02-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王勇刚;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan SD (Pan Shu-Di);  He JL (He Jing-Liang);  Hou YE (Hou Yu-E);  Fan YX (Fan Ya-Xian);  Wang HT (Wang Hui-Tian);  Wang YG (Wang Yong-Gang);  Ma XY (Ma Xiao-Yu);  Pan, SD, Shandong Normal Univ, Coll Phys & Elect, Jinan 250014, Peoples R China. E-mail: jlhe@icm.sdu.edu.cn;  htwang@nju.edu.cn;  wygxjw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YG (Wang Yong-Gang);  Ma XY (Ma Xiao-Yu);  Peng JY (Peng Ji-Ying);  Tan HM (Tan Hui-Ming);  Qian LS (Qian Long-Sheng);  Wang, YG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: chinawygxjw@163.com;  chinawygxjw@163.com;  jiy@163.com;  ytan@163.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gan Y (Gan Yu);  Xiang WH (Xiang Wang-Hua);  Zhou XF (Zhou Xiao-Fang);  Zhang GZ (Zhang Gui-Zhong);  Zhang B (Zhang Bing);  Wang YG (Wang Yong-Gang);  Ma XY (Ma Xiao-Yu);  Gan, Y, Tianjin Univ, Key Lab Optoelect Informat & Tech Sci, Minist Educ, Tianjin 300072, Peoples R China. E-mail: rainmangy@yahoo.com.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  林涛;  郑凯;  王翠鸾;  王俊;  王勇刚;  仲莉;  冯小明;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  卓壮;  姜其畅;  王勇刚;  苏艳丽;  李涛;  李建
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  姜其畅;  卓壮;  王勇刚;  李健;  苏艳丽;  马骁宇;  张志刚;  王清月
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