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在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人:  王晓亮;  罗卫军;  郭伦春;  肖红领;  李建平;  李晋闽 
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL;  Chen TS;  Xiao HL;  Tang J;  Ran JX;  Zhang ML;  Feng C;  Hou QF;  Wei M;  Jiang LJ;  Li JM;  Wang ZG;  Wang XL Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xlwang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang YX (Zhang Yun-Xiao);  Liao ZY (Liao Zai-Yi);  Pan JQ (Pan Jiao-Qing);  Zhou F (Zhou Fan);  Zhu HL (Zhu Hong-Liang);  Zhao LJ (Zhao Ling-Juan);  Wang W (Wang Wei);  Zhang, YX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangyx@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈微;  邢名欣;  任刚;  王科;  杜晓宇;  张冶金;  郑婉华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Yun-Xiao;  Liao Zai-Yi;  Wang Wei
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王翠鸾;  韩淋;  吴芃;  刘媛媛;  李伟;  冯小明;  王勇刚;  刘素平;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  吴芃;  刘媛媛;  王晓薇;  王翠鸾;  韩淋;  马骁宇;  刘素平
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