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一种自组织量子点为有源区的超辐射发光管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-04-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张子旸;  王占国;  徐波;  金鹏;  刘峰奇
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Controlled growth of III-V compound semiconductor nano-structures and their application in quantum-devices 会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:  Xu B;  Wang ZG;  Chen YH;  Jin P;  Ye XL;  Liu HY;  Zhang ZY;  Shi GX;  Zhang CL;  Wang YL;  Liu FQ;  Xu, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZY;  Wang ZG;  Xu B;  Jin P;  Sun ZZ;  Liu FQ;  Zhang, ZY, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangzy@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin P;  Li CM;  Zhang ZY;  Liu FQ;  Chen YH;  Ye XL;  Xu B;  Wang ZG;  Jin, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: pengjin@red.semi.ac.cn
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