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| 窄条选择外延技术制作铝铟镓砷掩埋脊波导激光器及方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 冯文; 潘教青; 赵玲娟; 朱洪亮; 王圩 Adobe PDF(1004Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1022/151  |  提交时间:2009/06/11 |
| 适用于疏波分复用的双波长串联分布反馈激光器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 谢红云; 王圩; 王鲁峰; 边静 Adobe PDF(322Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1333/193  |  提交时间:2009/06/11 |
| 半导体可饱和吸收镜及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王翠鸾; 王勇刚; 林涛; 王俊; 郑凯; 冯小明; 仲莉; 马杰慧; 马骁宇 Adobe PDF(548Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1113/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 半导体芯片结深的电解水阳极氧化显结方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 曾宇昕; 王水凤; 杨富华; 曾庆城 Adobe PDF(512Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:937/165  |  提交时间:2009/06/11 |
| 激光器-电吸收调制器-模斑转换器单片集成的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 侯廉平; 王圩; 朱洪亮; 周帆; 王鲁峰; 边静 Adobe PDF(1106Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1334/210  |  提交时间:2009/06/11 |
| 磷化铟基量子级联半导体激光器材料的结构及生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郭瑜; 刘峰奇; 李成明; 刘俊岐; 王占国 Adobe PDF(766Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1093/185  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种磷化铟基量子级联半导体激光器及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郭瑜; 王春华; 刘俊岐; 刘峰奇; 王占国 Adobe PDF(551Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1150/191  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在解理面上制作半导体纳米结构的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈涌海; 张春玲; 崔草香; 徐波; 金鹏; 刘峰奇; 王占国 Adobe PDF(467Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1200/186  |  提交时间:2009/06/11 |