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锑化物高电子迁移率晶体管及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910236705.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  李彦波;  张杨;  曾一平
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大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102324436A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  张雨溦;  张杨;  曾一平
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基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102376874A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  张杨;  曾一平
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