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| 生长高迁移率氮化镓外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽
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| 生长高阻氮化镓外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 冉军学; 曾一平; 李晋闽
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| 氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 江李; 林涛; 韦欣; 王国宏; 马骁宇
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| 带有锥形增益区的脊型波导高功率半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张洪波; 韦欣; 朱晓鹏; 王国宏; 马骁宇
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 康志龙; 辛国锋; 陈国鹰; 谢红云
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 宋国峰; 甘巧强; 瞿欣; 方培源; 高建霞; 曹青; 徐军; 康香宁; 徐云; 钟源; 杨国华; 陈良惠
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘明; 陈晓红; 徐征; 滕枫; 衣立新; 高德文; 郭立群
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张洪波; 韦欣; 朱晓鹏; 王国宏; 张敬明; 马骁宇
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 冉军学; 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽
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