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| 在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘力锋; 陈诺夫; 尹志岗 ; 杨霏; 柴春林
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| 制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘喆; 王军喜; 钟兴儒; 李晋闽; 曾一平; 段瑞飞; 马平; 魏同波; 林郭强
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| 半导体可饱和吸收镜及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王翠鸾; 王勇刚; 林涛; 王俊; 郑凯; 冯小明; 仲莉; 马杰慧; 马骁宇
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| 一种制备三元高K栅介质材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李艳丽; 陈诺夫; 刘立峰; 尹志刚; 杨菲; 柴春林
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| 半绝缘衬底长波长半导体激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-04-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 林涛; 江李; 陈芳; 刘素平; 马骁宇
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| 铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 林涛; 江李; 陈芳; 刘素平; 潭满清; 王国宏; 韦欣; 马骁宇
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| InP 基HEMT 材料与器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者: 李东临
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li DL (Li Dong-Lin); Zeng YP (Zeng Yi-Ping); Li, DL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(281Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1116/313 | 提交时间：2010/04/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 林涛; 郑凯; 王翠鸾; 王俊; 王勇刚; 仲莉; 冯小明; 马骁宇
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 林学春; 方高瞻; 马骁宇; 李晋闽
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