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生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-09, 公开日期: 4006
发明人:  王莉莉
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GaN 基太阳电池材料的MOCVD 生长及物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  王莉莉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张济志;  王圩;  张静媛;  汪孝杰;  李力;  朱洪亮;  王志杰;  周帆;  马朝华
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