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在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  金鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王智杰;  王占国
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一种强磁场的霍尔效应测试装置及其测试方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张攀峰;  吴洁君;  胡卫国;  刘祥林
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高能电子衍射图像处理系统及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙永伟;  侯识华;  宋国峰;  杨晓杰;  叶晓军
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用于电调制光致发光光谱测量的样品架 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  丛光伟;  彭文琴;  吴洁君;  魏宏源;  刘祥林;  王占国
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自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  吴洁君;  黎大兵;  陆沅;  韩修训;  李杰民;  王晓辉;  刘祥林;  王占国
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半导体模式转换器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-04-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘国利;  王圩;  朱洪亮;  董杰
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一种改进非晶硅太阳电池性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010117751.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  刘石勇;  曾湘波;  彭文博;  肖海波;  姚文杰;  谢小兵;  王超;  王占国
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