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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gai YQ;  Li JB;  Hou QF;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang CM;  Li JM;  Li JB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jbli@semi.ac.cn
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氮化镓系发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157611.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  马平;  李京波;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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