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准量子阱有源区、薄层波导半导体光放大器集成模斑转换器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  丁颖;  王圩;  王书学;  朱洪亮
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InP 基掩埋异质结构光电子器件的研制及可靠性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者:  丁颖
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王书荣;  王圩;  刘志宏;  朱洪亮;  张瑞英;  丁颖;  赵玲娟;  周帆;  田慧良
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