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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen YH;  Jin P;  Ye XL;  Xu B;  Wang ZG;  Yang Z;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yhchen@red.semi.ac.cn
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一种自组织量子点为有源区的超辐射发光管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-04-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张子旸;  王占国;  徐波;  金鹏;  刘峰奇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZC;  Chen YH;  Yang SY;  Zhang FQ;  Ma BS;  Xu B;  Zeng YP;  Wang ZG;  Zhang XP;  Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZC;  Yang SY;  Zhang FQ;  Xu B;  Zeng YP;  Chen YH;  Wang ZG;  Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZY;  Yang CL;  Wei YQ;  Ye XL;  Jin P;  Li CM;  Meng XQ;  Xu B;  Wang ZG;  Zhang ZY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZC;  Yang SY;  Zhang FQ;  Xu B;  Zeng YP;  Chen YH;  Wang ZG;  Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ye XL;  Chen YH;  Wang JZ;  Xu B;  Wang ZG;  Yang Z;  Ye XL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张兴宏;  夏冠群;  徐元森;  徐波;  杨玉芬;  王占国
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Optical anisotropy of InAs submonolayer quantum wells in a (311) GaAs matrix 会议论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 123, CARDIFF, WALES, JUN 23-27, 1997
作者:  Chen YH;  Yang Z;  Wang ZG;  Xu B;  Liang JB;  Qian JJ;  Chen YH Hong Kong Univ Sci & Technol Dept Phys Clear Water Bay Kowloon Hong Kong.
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Znse/gaas Interface  States  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen YH;  Yang Z;  Wang ZG;  Xu B;  Liang JB;  Qian JJ;  Chen YH,Hong Kong Univ Sci & Technol,Dept Phys,Clear Water Bay,Kowloon,Hong Kong.
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