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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao FA;  Chen YH;  Ye XL;  Jin P;  Xu B;  Wang ZG;  Zhang CL;  Zhao, FA, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaofa@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(478Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1101/242  |  提交时间：2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao FA;  Wu J;  Jin P;  Xu B;  Wang ZG;  Zhang CL;  Zhao, FA, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaofa@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang QL;  Feng BH;  Zhang DX;  Fu PM;  Zhang ZG;  Zhao ZW;  Deng PZ;  Xu J;  Xu XD;  Wang YG;  Ma XY;  Zhang, QL, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Lab Opt Phys, POB 603, Beijing 100080, Peoples R China.
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Molecular-beam epitaxial growth of position controlled InAs islands on cleaved edge of InGaAs/GaAs superlattice 会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:  Cui CX;  Chen YH;  Zhang CL;  Jin P;  Xu B;  Shi GX;  Zhao C;  Wang ZG;  Cui, CX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Quantum Dots  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou XL;  Zhao YW;  Sun NF;  Yang GY;  Xu YQ;  Sun TN;  Zhou, XL, Hebei Semicond Res Inst, POB 17940,Shijiazhuang, Hebei 050051, Peoples R China. 电子邮箱地址: tnsun@heinfo.net
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang QL;  Feng BH;  Zhang DX;  Fu PM;  Zhang ZG;  Zhao ZW;  Deng PZ;  Xu J;  Xu XD;  Wang YG;  Ma XY;  Zhang, QL, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Lab Opt Phys, POB 603, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: qlzhang@aphy.iphy.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, CL;  Wang, ZG;  Zhao, FA;  Xu, B;  Jin, P;  Zhang, CL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangchl@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  朱天伟;  徐波;  何军;  赵凤瑷;  张春玲;  谢二庆;  刘峰奇;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张春玲;  赵凤瑗;  徐波;  金鹏;  王占国
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