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一种硅基并联MOS电容结构高速电光调制器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  屠晓光;  陈少武
Adobe PDF(637Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：905/139  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, C (Li, Chun);  Fang, GJ (Fang, Guojia);  Liu, NH (Liu, Nishuang);  Li, J (Li, Jun);  Liao, L (Liao, Lei);  Su, FH (Su, Fuhai);  Li, GH (Li, Guohua);  Wu, XG (Wu, Xiaoguang);  Zhao, XZ (Zhao, Xingzhong);  Fang, GJ, Wuhan Univ, Dept Phys, Key Lab Acoust & Photon Mat & Devices Minist Educ, Wuhan 430072, Peoples R China. 电子邮箱地址: gjfang@whu.edu.cn
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