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探测半导体能带结构高阶临界点的新方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  谭平恒;  徐仲英;  罗向东;  葛惟昆
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu Q (Xu Qiang);  Luo JW (Luo Jun-Wei);  Li SS (Li Shu-Shen);  Xia JB (Xia Jian-Bai);  Li JB (Li Jingbo);  Wei SH (Wei Su-Huai);  Li, JB, Acad Sinica, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei, T;  Ruan, J;  Fan, ZJ;  Luo, GH;  Wei, F;  Fan, ZJ, Harbin Engn Univ, Sch Mat Sci & Chem Engn, Minist Educ, Key Lab Superlight Mat & Surface Technol, Harbin 150001, Heilongjiang, Peoples R China. 电子邮箱地址: fanzhj666@163.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bao ZH (Bao Zhi-Hua);  Jing WP (Jing Wei-Ping);  Luo XD (Luo Xiang-Dong);  Tan PH (Tan Ping-Heng);  Bao, ZH, Nantong Univ, Jiangsu Prov Key Lab ASIC Design, Nantong 226007, Peoples R China. 电子邮箱地址: luoxd00@yahoo.com.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo WJ (Luo Weijun);  Wei K (Wei Ke);  Chen XJ (Chen Xiaojuan);  Li CZ (Li Chengzhan);  Liu XY (Liu Xinyu);  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Luo, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: luoweijun@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma ZY (Ma Zhi-Yong);  Wang XL (Wang Xiao-Liang);  Hu GX (Hu Guo-Xin);  Ran JX (Ran Jun-Xue);  Xiao HL (Xiao Hong-Ling);  Luo WJ (Luo Wei-Jun);  Tang J (Tang Jian);  Li JP (Li Jian-Ping);  Li JM (Li Jin-Min);  Ma, ZY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: mazhiyong@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo, JW (Luo, Jun-Wei);  Li, SS (Li, Shu-Shen);  Xia, JB (Xia, Jian-Bai);  Wang, LW (Wang, Lin-Wang);  Luo, JW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lwwang@lbl.gov
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  包志华;  景为平;  罗向东;  谭平恒
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yao Xiaojiang;  Li Bin;  Chen Yanhu;  Chen Xiaojuan;  Wei Ke;  Li Chengzhan;  Luo Weijun;  WANG Xiaoliang;  Liu Dan;  Liu Guoguo;  Liu Xinyu
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