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制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  潘教青;  赵谦;  王圩;  朱洪亮
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基于级联电吸收调制器产生超短光脉冲的测试夹具及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵谦;  潘教青;  王圩
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一种产生超短光脉冲的单片集成器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵谦;  潘教清;  周帆;  王宝军;  王圩
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基于电吸收调制器光开关技术产生超短光脉冲的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  潘教清;  赵谦;  王圩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YG (Wang YongGang);  Ma XY (Ma XiaoYu);  Liu Y (Liu Yang);  Sun LQ (Sun LiQun);  Tian Q (Tian Qian);  Wang, YG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: chinawygxjw@163.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan JQ (Pan Jiao-Qing);  Zhao Q (Zhao Qian);  Zhu HL (Zhu Hong-Liang);  Zhao LJ (Zhao Ling-Juan);  Ding Y (Ding Ying);  Wang BJ (Wang Bao-Jun);  Zhou F (Zhou Fan);  Wang LF (Wang Lu-Feng);  Wang W (Wang Wei);  Pan, JQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Optoelect Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jqpan@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YG (Wang Yong-Gang);  Ma XY (Ma Xiao-Yu);  Peng JY (Peng Ji-Ying);  Tan HM (Tan Hui-Ming);  Qian LS (Qian Long-Sheng);  Wang, YG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: chinawygxjw@163.com;  chinawygxjw@163.com;  jiy@163.com;  ytan@163.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cong GW;  Peng WQ;  Wei HY;  Han XX;  Wu JJ;  Liu XL;  Zhu QS;  Wang ZG;  Lu JG;  Ye ZZ;  Zhu LP;  Qian HJ;  Su R;  Hong CH;  Zhong J;  Ibrahim K;  Hu TD;  Cong, GW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: gwcong@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng, JY (Peng, J. Y.);  Tan, HM (Tan, H. M.);  Wang, YG (Wang, Y. G.);  Wang, BS (Wang, B. S.);  Miao, JG (Miao, J. G.);  Qian, LS (Qian, L. S.);  Ma, XY (Ma, X. Y.);  Peng, JY, Chinese Acad Sci, Changchun Inst Opt Fine Mech & Phys, Changchun 130033, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiyingpeng111@163.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cong GW;  Peng WQ;  Wei HY;  Liu XL;  Wu JJ;  Han XX;  Zhu QS;  Wang ZG;  Ye ZZ;  Lu JG;  Zhu LP;  Qian HJ;  Su R;  Hong CH;  Zhong J;  Ibrahim K;  Hu TD;  Cong, GW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: gwcong@semi.ac.cn
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