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掩埋结构铝铟镓砷分布反馈激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-11-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冯文;  潘教青;  周帆;  王宝军;  赵玲娟;  朱洪亮;  王圩
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波长可调谐激光器的自动化测试控制系统及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王路;  赵玲娟;  张靖;  俞涛;  王鲁峰;  王圩
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单模量子级联激光器的器件结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郭瑜;  刘峰奇;  刘俊岐;  王占国
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一种光纤合束器制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冯小明;  方高瞻;  刘媛媛;  王翠鸾;  王晓薇;  马骁宇
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一种晶锭与热解氮化硼坩埚脱离方法及设备 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  高永亮;  惠峰;  王文军
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一种热解氮化硼坩埚表层镀膜方法及装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  高永亮;  惠峰;  王文军
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cheng YB (Cheng YuanBing);  Pan JQ (Pan JiaoQing);  Liang S (Liang Song);  Feng W (Feng Wen);  Liao ZY (Liao Zaiyi);  Zhou F (Zhou Fan);  Wang BJ (Wang, BaoJun);  Zhao LJ (Zhao LingJuan);  Zhu HL (Zhu HongLiang);  Wang W (Wang Wei);  Cheng, YB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ybcheng@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng W;  Pan JQ;  Wang LF;  Bian J;  Wang BJ;  Zhou F;  An X;  Zhao LJ;  Zhu HL;  Wang W;  Feng, W, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wfeng@semi.ac.cn
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直径六英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术 成果
2007
主要完成人:  李晋闽;  曾一平;  惠峰;  卜俊鹏;  王文军;  郑红军;  孙红方
收藏  |  浏览/下载：2099/0  |  提交时间：2010/04/13
六英寸半绝缘砷化镓单晶  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng W;  Pan JQ;  Cheng YB;  Liao ZY;  Wang BJ;  Zhou F;  Zhao LJ;  Zhu HL;  Wang W;  Feng, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wfeng@semi.ac.cn
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