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窄条选择外延技术制作铝铟镓砷掩埋脊波导激光器及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冯文;  潘教青;  赵玲娟;  朱洪亮;  王圩
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适用于疏波分复用的双波长串联分布反馈激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  谢红云;  王圩;  王鲁峰;  边静
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半导体可饱和吸收镜及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王翠鸾;  王勇刚;  林涛;  王俊;  郑凯;  冯小明;  仲莉;  马杰慧;  马骁宇
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半导体芯片结深的电解水阳极氧化显结方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  曾宇昕;  王水凤;  杨富华;  曾庆城
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激光器-电吸收调制器-模斑转换器单片集成的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  侯廉平;  王圩;  朱洪亮;  周帆;  王鲁峰;  边静
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磷化铟基量子级联半导体激光器材料的结构及生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郭瑜;  刘峰奇;  李成明;  刘俊岐;  王占国
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一种磷化铟基量子级联半导体激光器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郭瑜;  王春华;  刘俊岐;  刘峰奇;  王占国
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在解理面上制作半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈涌海;  张春玲;  崔草香;  徐波;  金鹏;  刘峰奇;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JQ (Liu Jun-Qi);  Liu FQ (Liu Feng-Qi);  Ye S (Ye Shao);  Lu L (Lu Li);  Yu G (Yu Guo);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Wang LC (Wang Liang-Chen);  Liu, FQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: fqliu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu MD (Hu Mengdi);  Feng H (Feng Hao);  Cao WM (Cao Wenming);  Wang SJ (Wang Shoujue);  Hu, MD, Zhejiang Univ Sci & Technol, Dept Civil Engn, Hangzhou 310014, Peoples R China. E-mail: humengdi1958@163.com
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